30 апреля 2026 Новости науки

Как нитрид бора связан с компьютерными чипами

Об этом студентам Тольяттинского государственного университета (ТГУ) рассказал на лекции кандидат физико-математических наук, начальник лаборатории химических методов анализа элементного состава материалов ТГУ Илья Соснин.
Как нитрид бора связан с компьютерными чипами

Гексагональный нитрид бора – это материал, похожий на графит, но состоящий из атомов бора и азота. Он может помочь процессорам и видеокартам охлаждаться без вентиляторов.

В январе 2026 года американские исследователи Эжис Ван Хан, Вэйцзя Янь и Жуйхун Хуан опубликовали статью, где показали: если вставить прослойку из нитрида бора в структуру чипа, теплопотери видеокарты снижаются на 22%. Нитрид бора не проводит электричество, но при этом отлично проводит тепло в одном направлении (вдоль плоскости) и почти не проводит поперёк – это свойство называется анизотропией.

Сам Илья Соснин изучает нитрид бора по другой причине – для укрепления магниевых имплантатов. Работа выполняется при поддержке Российского научного фонда. Магний мягкий, и в него добавляют твёрдые частицы, которые должны как бы приклеиваться к жидкому металлу.

– Я, как химик, рассуждал: раз жидкий металл похож на неполярную жидкость, то и частицы должны быть с такой же неполярной связью. Нитрид бора подходил идеально. Он похож на графит, но состоит из атомов бора и азота. При этом на практике магний его начисто отторгает. До сих пор не могу до конца понять, почему так, – поделился Илья Соснин.

Он также попытался вырастить ровную плёнку нитрида бора на подложке, но вместо этого получились крошечные треугольники – наночастицы размером до 10 мкм. Учёный объяснил, что синтез нитрида бора требует бескислородной среды, постоянного давления и контроля примесей. Лучшее сырьё – боразол, похожий на бензол, но без углерода. Однако процесс нуждается в мощном ультрафиолетовом облучении, а его воспроизводимость остаётся большой проблемой.

– Один мой коллега, сириец-биолог, сказал, что хочет взять моё наносеребро, но ему надо объяснить синтез, и тогда он сможет сам проводить работу. При мне он всё сделал, у него получилось. Он уехал в другую лабораторию и никогда не смог повторить. Я понял, что надо ехать к нему и понимать, как у него там всё устроено. Есть неочевидные факторы, которые не всегда воспринимаешь за важные, – отметил Илья Соснин.

Также в лекции были затронуты работы в области физики полупроводников советских учёных: изобретение прототипа светодиода Олегом Лосевым, создание метода выращивания монокристаллов Львом Шубниковым, а диссертация основателя Intel Роберта Нойса, как отметил Илья Соснин, цитирует работы советского физика Игоря Тамма.

Результаты, связанные с применением дисперсных частиц для упрочнения магниевых имплантатов, будут подробно рассмотрены в дальнейших работах учёного.

Егор Бондарь, студент ТГУ

Персона:

39

просмотров

Читайте также

все

120 тысяч на полировку магния и аэродинамическую трубу

Молодые учёные Тольяттинского государственного университета (ТГУ) получат финансовую поддержку от вл...

В ТГУ рассказали, как почерк раскрывает личность

Как узнать, конфликтен ли человек, обладает ли он лидерскими качествами, какой у него темперамент? Н...

Как спасти энергосети от последствий магнитной бури

В Тольяттинском государственном университете (ТГУ) создана первая в России научно обоснованная систе...

В ТГУ получили полезные продукты из «вредных» отходов

Учёные Тольяттинского государственного университета (ТГУ) запатентовали два новых химических продукт...

Особенности текста в новой системе координат

В Тольяттинском государственном университете прошла VIII Всероссийская (с международным участием) на...

Срок службы деталей КПП может увеличиться

Исследователи из Тольяттинского государственного университета (ТГУ) предложили режим термической обр...

В ТГУ улучшают сплавы магния и алюминия

Российский научный фонд (РНФ) поддержал грантами исследования двух учёных Тольяттинского государстве...

445020, Самарская область, Тольятти, Белорусская ул.,14

+7 (8482) 44-94-24,
44-94-44

Пн-пт: 8:15-17:00 (перерыв: 12:30-13:15)

office@tltsu.ru